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IGBT国产化新布局:赛晶项目基地落户浙江嘉兴 定下2亿美元销售目标

肖超 陈锋 2020-6-19 14:23:19


本报记者 肖超 陈锋 北京报道

IGBT(绝缘栅型双极型晶体管)国产化再迎新布局。

近日,由赛晶电力电子(0580.HK)子公司赛晶亚太半导体主导的IGBT功率半导体项目正式落地浙江嘉兴,并举行生产基地开工仪式。

据了解,赛晶IGBT生产基地位于嘉善经济技术开发区,生产线建设分两期执行。本次动工的一期项目占地34亩,规划建设2条IGBT芯片背面工艺生产线、5条IGBT模块封装测试生产线,建成后年产能达200万件IGBT模块产品。

对于具体的项目建设规划,赛晶方面向《华夏时报》记者表示,预计2020年底前厂房建设完成,2021年一季度第一条生产线试生产、第二条生产线投资启动,预计未来3至5年完成全部生产线建设。

“IGBT是目前应用技术最先进、应用最广泛的功率半导体器件,是众多国家重点发展的新兴技术领域的关键性基础元器件。赛晶作为国产技术研发和创新的先锋,我们的目标是打造出具备国际一流水平的国产IGBT。”赛晶集团董事长项颉称。

国产化之路待解

IGBT即绝缘栅型双极型晶体管,主要作用是进行交流电和直流电的转换、电压高低的转换,其作用类似于电脑的CPU。

在工业应用上,IGBT是光伏逆变器和风力发电逆变器的核心器件,也是新能源汽车电机控制器、充电桩等设备的核心元器件。随着新能源发电行业的迅速发展,IGBT正逐步发展为中高端功率半导体器件的主流应用形态。

以纯电动新能源汽车的成本结构为例,动力电池以42%的占比位居第一,紧随其后的是电控系统,占比11%。而在电控系统中,IGBT成本占比达41%,是电控系统中最重要的构成器件。

作为电控核心部件,由于制造难度大,具有极高的技术壁垒,IGBT一直以来主要被欧美日企垄断。据中信证券研究部在2020年2月发布的研报显示,我国IGBT产品对外依赖度接近90%。

从全产业链来看,IGBT的前期资本开支大,中期制造良品率决定盈利能力,后端市场开拓也需要培育,国产替代过程仍然面临重重考验。

即便如此,在产业政策和市场需求的驱动下,IGBT国产化之路也在向前推进。国内厂商比亚迪(1211.HK)、中车时代电气(3898.HK)选择纵向一体化布局,而华虹半导体(1347.HK)、上海先进等专注晶圆制造,斯达半导(603290.SH)、宏微科技也在近年加注布局设计与封装环节。

四年目标2亿美元

西部证券研究所发布的研报援引IHS Markit的数据认为,2018年全球IGBT市场规模为62.4亿美元,中国市场规模为19.23亿美元,占全球市场规模比例达到30.82%。而随着中国在新能源领域持续大规模地投入,中国IGBT市场增速将快于全球,占比也将进一步提升。

在此背景下,赛晶电力电子自2016年起开始进行IGBT相关的研发性工作,并在2018年进入电动汽车用数字式IGBT驱动的领域。

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在2019年3月的业绩交流会上,赛晶集团董事长项颉表示,集团的IGBT业务未来有三大财务目标:2020年实现年销售收入超过500万美元;2021年年销售3000万美元,达到盈亏平衡;2023年年销售收入超2亿美元,成为世界主流供应商之一。

项颉称,赛晶的优势来自于以前行业的生产厂家不多、真正掌握核心技术的也不多,而赛晶的研发团队实力过硬;且赛晶此前深耕半导体行业,所以非常了解客户的需求,并能做出快速反应。

据年报显示,赛晶在2019年启动了IGBT的自主研发项目,既有国内技术团队,也包括了来自欧洲知名企业的海外研发团队。因此,赛晶的研发支出也在2019年水涨船高,较前一年增加15%至6200万元,占当期净利润的4%。

赛晶表示,将全力推进IGBT项目的实施,尽快完成打造自主技术高端IGBT产品的战略目标,并使之成为公司长期发展的新动能。


责任编辑:麻晓超 主编:陈锋